M.Salehi
5th August 2012, 12:56
بزرگترین شرکت تولیدکننده پردازشگرهای رایانه ای فناوری جدیدی را ارائه کرده است که تولید نیمه رساناهای با یک ساختار سه بعدی را امکانپذیر می کند.
به گزارش خبرگزاری مهر، شرکت اینتل با ارائه این فناوری در تلاش است یک ساختار جدید سه بعدی را برای نیمه رساناها ایجاد کند. هدف از این کار افزایش عملکردها و صرفه جویی در مصرف انرژی است.
به این ترتیب فناوریهای جدید اینتل به اولین ترانزیستورهای سه بعدی در دنیا تبدیل خواهند شد. در این ترانزیستورهای سه بعدی که "تری گیت" نام دارند یک تغییر ریشه ای نسبت به ساختارهای مسطح دو بعدی به وجود می آید.
اولین نسل از ترانزیستورهای سه بعدی که با کد Ivy Bridge عرضه می شوند ویژه تراشه های 22 نانومتری آماده ورود به خط تولید انبوه هستند.
براساس گزارش eWeek، ترانزیستور یک عنصر میکروسکوپی و پایه دستگاههای الکترونیکی مصرفی است. اختراع ترانزیستور سیلیکونی بیش از 50 سال قبل اتفاق افتاد و پروژه ترانزیستور سه بعدی نخستین بار در سال 2002 توسط اینتل اعلام شد.
این شرکت اظهار داشت: "محققان و مهندسان ما بار دیگر و این بار با استفاده از ساختار سه بعدی ترانزیستورها را اختراع کردند. این فناوری جدید پتانسیل بالایی در ساخت دستگاههای الکترونیکی دارد که می توانند دنیا را تغییر دهد. با این فناوری جدید، تراشه ها با فشار کمتر و تفرق الکتریکی حداقلی کار می کنند. در نتیجه عملکردهای ترانزیستور بهبود یافته و بازده به حداکثر می رسد. این پتانسیل به طراحان اجازه می دهد که با انعطاف پذیری بیشتری ترانزیستورهای کم مصرف را انتخاب کنند."
به گزارش خبرگزاری مهر، شرکت اینتل با ارائه این فناوری در تلاش است یک ساختار جدید سه بعدی را برای نیمه رساناها ایجاد کند. هدف از این کار افزایش عملکردها و صرفه جویی در مصرف انرژی است.
به این ترتیب فناوریهای جدید اینتل به اولین ترانزیستورهای سه بعدی در دنیا تبدیل خواهند شد. در این ترانزیستورهای سه بعدی که "تری گیت" نام دارند یک تغییر ریشه ای نسبت به ساختارهای مسطح دو بعدی به وجود می آید.
اولین نسل از ترانزیستورهای سه بعدی که با کد Ivy Bridge عرضه می شوند ویژه تراشه های 22 نانومتری آماده ورود به خط تولید انبوه هستند.
براساس گزارش eWeek، ترانزیستور یک عنصر میکروسکوپی و پایه دستگاههای الکترونیکی مصرفی است. اختراع ترانزیستور سیلیکونی بیش از 50 سال قبل اتفاق افتاد و پروژه ترانزیستور سه بعدی نخستین بار در سال 2002 توسط اینتل اعلام شد.
این شرکت اظهار داشت: "محققان و مهندسان ما بار دیگر و این بار با استفاده از ساختار سه بعدی ترانزیستورها را اختراع کردند. این فناوری جدید پتانسیل بالایی در ساخت دستگاههای الکترونیکی دارد که می توانند دنیا را تغییر دهد. با این فناوری جدید، تراشه ها با فشار کمتر و تفرق الکتریکی حداقلی کار می کنند. در نتیجه عملکردهای ترانزیستور بهبود یافته و بازده به حداکثر می رسد. این پتانسیل به طراحان اجازه می دهد که با انعطاف پذیری بیشتری ترانزیستورهای کم مصرف را انتخاب کنند."