ساخت سریعترین ترانزیستور جهان در ایران
ساخت سریعترین ترانزیستور جهان در ایران
یك عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی موفق به ساخت سریعترین ترانزیستور جهان شد كه می‌تواند تحولی مهم در ابررایانه‌ها و سایر تجهیزات پیشرفته الكترونیكی با كاربردهای ویژه ایجاد كند.
به گزارش ایسنا، مقاله مربوط به طرح ابتكاری دكتر فرشید رییسی كه در مجله معتبر بین‌المللی Applied Physics Letters آمریكا نیز ارائه شده، بازتاب وسیعی در نشریات و رسانه‌های علمی فیزیك جهان داشته است.
دكتر رییسی با بیان این مطلب اظهار كرد: در طراحی این ترانزیستور به جای «الكترون» از «سالیتان» (بسته‌های امواج الكترومغناطیسی) كه با سرعت نور حركت می‌كند، استفاده شده است.
عضو هیات علمی گروه الكترونیك دانشگاه دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی در خصوص مزیت این طرح نسبت به ترانزیستورهای معمولی گفت: ترانزیستور «سالیتانی» (SOLITON TRANSISTOR ) می‌تواند صدها برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای معمولی كه توسط نیمه هادی‌ها ساخته می‌شوند، عمل كند.
دكتر رییسی افزود: این ترانزیستور در ابعاد 8 دهم میلیمتر ساخته شده و سرعتی حدود 8 گیگا هرتز دارد كه در مقایسه با ترانزیستورهای معمولی (حدود 5/2 گیگا هرتز) سه برابر بیشتر است و هر چه ابعاد آن كوچكتر باشد، سرعت ترانزیستور افزایش می‌یابد.
دكتر رییسی با اشاره به این كه قطعات مورد نیاز این ترانزیستور از خارج كشور تهیه می‌شود، اظهار كرد: تولید این ترانزیستور به آزمایشگاه‌های ساخت قطعات نیمه هادی نیازمند است كه متاسفانه در كشور وجود ندارد، در حالی كه هزینه تهیه یك آزمایشگاه ساخت ترانزیستور «سالیتانی» نسبت به هزینه آزمایشگاه‌های ساخت ترانزیستورهای كنونی بسیار كمتر است.
وی افزود: در صورت تجهیز آزمایشگاه ساخت قطعات نیمه هادی در كشور، با تهیه ترانزیستورهای سالیتانی در ابعاد صد نانومتر، می‌توان سرعت فركانسی آن را به حدود 200 تا 300 گیگا هرتز رساند تا در مواردی نظیر ابررایانه‌ها و فعالیت‌های دفاعی كه سرعت ترانزیستور اهمیت دارد، به كار رود.
این پژوهشگر در پایان خاطر نشان كرد: ترانزیستور «سالیتانی» علاوه بر سرعت سه برابر بیشتر نمونه اولیه آن نسبت به سریعترین ترانزیستورهای موجود در بازار، از لحاظ هزینه تولید از ترانزیستورهای نیمه هادی با كاربری در CPUها بسیار ارزانتر است.
گفتنی است، دكتر رییسی تحصیلات كارشناسی خود را در رشته مهندسی الكترونیك در دانشگاه ایالتی «لویی‌زیانا» و تحصیلات كارشناسی ارشد و دكتری خود را در دانشگاه ویسكانسین - مدیسون آمریكا به پایان برده، علاوه بر این طرح، تحقیقات و مقالات علمی متعددی داشته كه در معتبرترین نشریات و كنفرانس‌های بین‌المللی فیزیك ارائه شده است
