.تعمیـــرکاران کیان ست (kiansat.tv)تابع قوانین -جمهموری-اسلامی ایران میباشد و ارسال هر گونه مطلب سیاسی،مذهبی،غیراخلاقی و خرید و فروش متعلقات ماه-واره و دیگر موارد مجرمانه ممنوع میباشد وبا کاربران خاطی به شدت برخورد میگردد انجمن فقط تعمیرات لوازم الکترونیک میباشد...













سلام مهمان گرامی؛
به کیان ست خوش آمدید برای مشاهده انجمن با امکانات کامل می بايست از طريق این لینک عضو شوید.

https://teranzit.pw/uploads/14469017281.png
پیام خصوصی به مدیریت کل سایت ........... صفحه توضیحات و شرایط گروه ویژه ........... ...........
ارتباط تلگرامی با مدیریت سایت ................. ایدی تلگرام suportripair@ .................
نمایش نتایج: از شماره 1 تا 6 , از مجموع 6

موضوع: اخبار تازه های الکترونیک و برق فقط در این تاپیک..........

Threaded View

پست قبلی پست قبلی   پست بعدی پست بعدی
  1. #5


    تاریخ عضویت
    Nov 2011
    نوشته ها
    1,188
    تشکر ها
    1,913
    4,163 سپاس از1,136 پست

    پیش فرض ساخت اولین ترانزیستور بدون اتصال با نانوسیم سیلیکونی

    محققان در ایرلند با استفاده از نانوسیم سیلیکونی موفق به ساخت اولین ترانزیستور بدون اتصال شده‌اند. طبق گفته این محققان این افزاره که ایده آن اولین بار در سال 1925 داده شده ولی تاکنون ساخته نشده است، خواص الکتریکی نسبتاً اید‌ه‌آلی دارد. این افزاره در مقایسه با ترانزیستورهای مرسوم امروزی، به صورت بالقوه می‌تواند سریع‌تر و با توان کمتر کار کند.

    ترانزیستور‌های امروزی دارای اتصالات نیمه‌رسانا می‌باشند. معمول‌ترین نوع اتصال، اتصال p-n است که به‌وسیلة تماس بین یک قطعه سیلیکونی نوع p و یک قطعه سیلیکونی نوع n تشکیل می‌شود. در قطعه نوع p، سیلیکون برای ایجاد حفره‌های اضافی با ناخالصی‌ها دوپ می‌شود و در قطعه نوع p، سیلیکون برای ایجاد الکترون‌های اضافی با ناخالصی‌ها دوپ‌ می‌شود.


    تعداد ترانزیستورها روی یک میکروتراشه سیلیکونی منفرد به طور فزاینده‌ای در حال افزایش می‌باشد و از سال 1970 تاکنون از چندصد به چندین بیلیارد رسیده است. در نتیجه ترانزیستورها به قدری ریز شده‌اند که ایجاد اتصالات با کیفیت در آنها به شدت مشکل شده است. در عمل تغییر غلظت دوپ‌کننده‌ی یک ماده‌ی در فصول کمتر از حدود 10 نانومتر بسیار مشکل است.



    Click here to enlargeیک ترانزیستور نانوسیمی نوع n. اکنون جین- پیر کالینگ و همکارانش در مؤسسه ملی تیندال؛ برای حل این مشکل از ایده مطرح شده در سال 1925 الهام گرفته‌اند. طبق این ایده، ترانزیستور یک مقاومت ساده است و شامل یک گیت می‌باشد که چگالی الکترون‌ها و حفره‌ها و در نتیجه جریان الکتریکی را کنترل می‌کند. افزاره ساخته شده بوسیله این محققان یک نانوسیم سیلیکونی می‌باشد که در آن جریان الکتریکی به‌طور کامل به‌وسیلة یک گیت سیلیکونی کنترل می‌شود. این گیت به‌وسیلة یک لایه عایق نازک از این نانوسیم جدا می‌شود.

    در این حالت نیاز به تغییر دوپ‌کننده در فواصل کم نیست. در عوض کل این نانوسیم، نوع N و گیت نوع p می‌باشد. حضور این گیت منجر به تخلیه‌ی تعدادی از الکترون‌ها در ناحیه‌ی انتهایی نانوسیم متصل به آن، می‌شود. اگر یک ولتاژ در سرتاسر این نانوسیم اعمال شود، جریان الکتریکی در سرتاسر این ناحیه‌ی تخلیه‌شده جاری نمی‌شود. اگر یک ولتاژ به گیت نیز اعمال شود، اثر فشردگی کاهش‌یافته و جریان جاری می‌شود.

    [CENTER][IMG]http://kiansat19.ir/image.php?type=sigpic&userid=62231&dateline=1351749276[/IMG]


    [/CENTER]

  2. 4کاربر از eshareh بخاطر ارسال این پست مفید سپاسگزاری کرده اند:

    abady (10th October 2012),ARIYA (10th October 2012),FREXZ (8th October 2012),venusz (10th December 2012)

اطلاعات موضوع

کاربرانی که در حال مشاهده این موضوع هستند

در حال حاضر 1 کاربر در حال مشاهده این موضوع است. (0 کاربران و 1 مهمان ها)

کلمات کلیدی این موضوع

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •  


Copyright ©2000 - 2013, Jelsoft Enterprises Ltd کیــــــــــان ستـــــــــــ ...® اولین و بزرگترین سایت فوق تخصصی الکترونیک در ایران



Cultural Forum | Study at Malaysian University